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NTLTD7900ZR2
5
4
3
2
T J = 25 ° C
I D = 6.5 A
10,000
1000
t f
t d(off)
t r
t d(on)
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
100
1
V DS = 10 V
I D = 6.5 A
V GS = 4.5 V
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate--to--Source
R G , GATE RESISTANCE ( Ω )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
10
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
1.8
1.6
ID = 9 A
V GS = 4.5 V
1.4
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1.2
1.0
0.8
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
V SD , SOURCE--TO--DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage versus Current
0.2
0.040
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. On--Resistance Variation with
Temperature
0.1
I D = 250 m A
0.035
T J = 125 ° C
0.030
0
--0.1
--0.2
--0.3
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
T J = 25 ° C
T J = --55 ° C
--0.4
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On--Resistance versus Drain
Current and Temperature
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